|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ РАСПЛАВА И ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА В РОСТОВОЙ УСТАНОВКЕ |  |
Номер публикации патента: 2263165 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/26 | | Аналоги изобретения: | US 6226032 В1, 01.05.2001. RU 2176689 С2, 10.12.2001. US 5665159 А, 09.09.1997. US 5961716 A, 05.10.1999. |
| Имя заявителя: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) | | Изобретатели: | Михляев С.В. (RU) | | Патентообладатели: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения диаметра кристалла и уровня расплава как в центре тигля, так и в зоне кристаллообразования. Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке, в котором с помощью датчика уровня измеряют уровень расплава в тигле на выбранном расстоянии от его оси вращения, с помощью оптической системы измерения диаметра кристалла, установленной под углом к оси кристалла, фо
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента