|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ УРОВНЯ РАСПЛАВА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2281349 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/26 | | Аналоги изобретения: | US 6077345 А, 20.06.2000. RU 2227819 C1, 27.04.2004. MIKHLYAEV S.V. et al. Metrological problems of melting level and crystal geometry measurement during crystal growing. Seventh International Symposium on Laser Metrology Applied to Science, Industry and Everyday Life. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Vol. 4900, n.1, 2002, pp.572-578", реферат. |
| Имя заявителя: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) | | Изобретатели: | Михляев Сергей Васильевич (RU) | | Патентообладатели: | Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения уровня расплава при расширенном диапазоне угловых скоростей его вращения. Сущность способа состоит в том, что формируют зондирующий световой пучок, направляют его под углом к поверхности расплава в точку зондирования, с помощью оптической системы, установленной на пути отраженного от поверхности расплава светового пучка, формируют изображение светового пятна из точки зондирования в
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента