|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2320790 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/10 C30B015/14 C30B029/30 | | Аналоги изобретения: | SU 1228526 A1, 15.02.1993. JP 54128989 A, 05.10.1979. JP 8133883 A, 28.05.1996. US 2956863 A, 18.10.1960. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Ковальчук Михаил Валентинович (RU)
Габриэлян Вячеслав Тигранович (RU)
Грунский Олег Сергеевич (RU)
Денисов Алексей Викторович (RU)
Шапиро Аркадий Яковлевич (RU)
Буташин Андрей Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах. Устройство содержит корпус с камерой роста и камерой охлаждения, которые разделены керамической проставкой, тигель, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран, установленный над тиглем, и механизм перемещения кристалла с штоком.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента