|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА |  |
Номер публикации патента: 2355830 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B015/20 C30B029/20 | | Аналоги изобретения: | CN 1544712 А, 10.11.2004. RU 2023063 C1, 15.11.1994. БАГДАСАРОВ Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004, 143-145. |
| Имя заявителя: | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования Северо-Кавказский Государственный Технический Университет (RU) | | Изобретатели: | Синельников Борис Михайлович (RU)
Игнатов Александр Юрьевич (RU)
Москаленко Сергей Викторович (RU) | | Патентообладатели: | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования Северо-Кавказский Государственный Технический Университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов сапфира и может быть использовано в оптической, химической и электронной промышленности. Способ включает вакуумную плавку исходной шихты в камере, вытягивание монокристалла на затравку с его разращиванием при одновременном охлаждении расплава и последующее охлаждение выращенного монокристалла.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента