RU 2231582 C1, 27.06.2004. US 6197111 B1, 06.03.2001. US 6338757 B1, 15.01.2002. JP 64061382 A, 08.03.1989.
Имя заявителя:
Институт химических проблем микроэлектроники (ИХПМ) (RU)
Изобретатели:
Простомолотов Анатолий Иванович (RU) Верезуб Наталия Анатольевна (RU) Жвирблянский Вилен Юльевич (RU) Мильвидский Михаил Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Институт химических проблем микроэлектроники (ИХПМ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области получения монокристаллов кремния. Устройство включает камеру 1 выращивания монокристалла 22 с расположенным в ней тиглем 4 для получения расплава, средство вытягивания из расплава монокристалла кремния и экранирующее приспособление, расположенное соосно выращиваемому монокристаллу 22, выполненное в виде двойного экрана - внутреннего 15 и внешнего 16, при этом внешний экран 16 имеет форму, повторяющую или близкую к форме кварцевого тигля 4, а внутренний 15 - форму усеченного конуса, обращенного малым основанием к расплаву. Экранирующее приспособление снабжено вторым коническим экраном 9. размещенным внутри первого 15 и коаксиально ему, с зазором между ними для обеспечения возможности прохода газа через зазор к стенкам камеры, верхний край второго конического экрана 9 соединен с кольцом 10, под которым размещен водоохлаждаемый экран 12, внутренняя полость которого соединена трубками для подвода и отвода воды, а экран 16, повторяющий форму тигля, соединен с боковым цилиндрическим теплоизолирующим экраном. Водоохлаждаемый экран 12 выполнен в виде полого цилиндра, имеющего в стенках полость прямоугольного сечения, которая снабжена трубками для подвода и отвода воды. Верхняя часть бокового теплоизолирующего экрана выполнена в виде набора колец 20. Пространство между первым коническим экраном 15 и экраном 16, повторяющим форму тигля, заполнено теплоизолирующим материалом 17, например графитовым войлоком. Боковой теплоизолирующий экран снабжен отверстиями для прохода газа к боковым стенкам камеры выращивания. Изобретение направлено на повышение структурного совершенства выращиваемых бездислокационных монокристаллов кремния при одновременном снижении энергозатрат на их производство. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента