|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2022068 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/06 | | Аналоги изобретения: | 1. Бармин В.П. Оборудование космического производства. М.: Машиностроение, 1983, с.63. |
| Имя заявителя: | Трубников Владимир Михайлович,Скитев Геннадий Федорович,Демин Андрей Васильевич,Рябин Виктор Тимофеевич,Ромадина Наталья Алексеевна | | Изобретатели: | Трубников В.М.
Скитев Г.Ф.
Демин А.В.
Рябин В.Т.
Ромадина Н.А. | | Патентообладатели: | Трубников Владимир Михайлович
Скитев Геннадий Федорович
Демин Андрей Васильевич
Рябин Виктор Тимофеевич
Ромадина Наталья Алексеевна |
Реферат | |
Использование: в области кристаллографии при выращивании кристаллов сложного полупроводника из паровой фазы методом осаждения в низкотемпературных установках. Сущность изобретения: устройство содержит ампулу для исходного вещества, размещенную в корпусе. Коаксиально ампуле установлен нагреватель. Между нагревателем и ампулой расположено средство регулирования градиента температуры, выполненное в виде цилиндрического экрана.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента