|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ A3 |  |
Номер публикации патента: 2132890 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B023/08 C30B029/38 | | Аналоги изобретения: | W.Kim et al. Reactive molecular beam epitaxy of wurtzite GaN: Materials characteristics and qrouth Kinetics. Journal of Applied Physics. - 79(10), 1966, p. 7657 - 7666. SU 1136501 A1, 20.11.96. JP 59057997 A, 03.04.84. US 4330360 A, 18.05.82. JP 02153896 A, 13.06.90. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | | Изобретатели: | Демидов Д.М.
Карпов С.Ю.
Погорельский Ю.В.
Соколов И.А.
Тер-Мартиросян А.Л.
Чалый В.П. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекулярных потоков, содержащих элементы группы А3, и молекулярного потока аммиака посредством подачи его в вакуумную камеру из газового источника; отношение плотности  молекулярного потока амиака к суммарной плотности  молекулярных потоков элементов группы А3 лежит в пределах 100 - 10000. Изобретение позволяет повысить качество эпитаксиальных структур, а также скорость их роста. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента