|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2158986 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 C30B023/08 | | Аналоги изобретения: | ТУ 88 - Установка молекулярной эпитаксии ЭП 1203, Техническое описание и инструкция по эксплуатации 1Г2.950.110 ТО. - Л.: А/О Научные приборы, 1991, с.12. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры /Под ред.Л.Ченга и К.Плота. - М.: Мир, 1989, с.120. RU 2111291 C1, 20.05.1998. RU 1700113 A, 23.12.1991. US 4569829 A, 11.02.1986. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | | Изобретатели: | Чалый В.П.
Тер-Мартиросян А.Л.
Соколов И.А.
Погорельский Ю.В.
Алексеев А.В. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" |
Реферат | |
Использование: оборудование для производства элементов полупроводниковой техники. Сущность изобретения: установка для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых структур на монокристаллических подложках включает вакуумную камеру, в которой размещены исполнительный орган манипулятора в виде поворотной относительно ее продольной оси штанги со съемным подложкодержателем, нагреватель, содержащий корпус с размещенным в нем нагревательным элементом и тепловой экран с полостями в его стенках для подач
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента