На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ

Номер публикации патента: 1376633

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4067238		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к устройствам для выращивания эпитаксиальных слоев соединений A³B⁵ хлоридно-гидридным методом и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Цель изобретения - улучшить морфологию за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев. Устройство включает вертикальный реактор. Внутри него размещены коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов и источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках. Источник размещен внутри вертикального цилиндра. Снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения. Сверху на цилиндре размещен дисковый подложкодержатель. В подложкодержателе выполнены сквозные отверстия для размещения подложек и отверстия для вывода продуктов реакции. Даны соотношения, связывающие площадь отверстий для вывода продуктов реакции и площадь подложкодержателя. Подложки устанавливают рабочей стороной вниз, в результате чего поликристаллические зерна, осаждаемые на стенках реактора, не попадают в выращиваемые слои. Выращены слои Jn_0,18Ga_0,82As с зеркальной поверхностью без поликристаллических включений. 1 ил.

Вернуться к списку