JIANG, F et al, Indium adsorption on GaN under metal-organic chemical vapor deposition conditions, "Applied Physics Letter", 2006, vol.89, no. 16. JP 2008071773 A, 27.03.2008. RU 60269 U1, 10.01.2007.
Имя заявителя:
САМСУНГ ЛЕД КО., ЛТД. (KR)
Изобретатели:
КИМ Чангсунг Син (KR) Яковлев Евгений Владимирович (RU) Лундин Всеволод Владимирович (RU) Талалаев Роман Александрович (RU)
Патентообладатели:
САМСУНГ ЛЕД КО., ЛТД. (KR)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы и получению нитридного полупроводникового устройства. Способ включает инжекцию в реактор газа - источника азота и газа - источника галлия для выращивания слоя нитрида галлия, причем инжекция газа - источника азота и газа -источника галлия включает инжекцию в реактор газа, содержащего атомы индия при температуре от 850 до 1000°С, так, что вакантный центр поверхности, определяющий раковину, сформированную на выращиваемом слое нитрида галлия, объединяется вместе с атомами галлия или атомами индия для заполнения раковины, и реактор имеет внутреннее давление от 200 до 500 мбар. Изобретение обеспечивает улучшение поверхностной морфологии слоя нитрида галлия за счет снижения количества раковин, образуемых на его поверхности. Такой слой используется для изготовления нитридного полупроводникового устройства с улучшенными рабочими характеристиками. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 12 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента