|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2253705 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B028/14 C30B025/02 C30B029/48 | | Аналоги изобретения: | RU 2046843 C1, 27.10.1995. JP 57111211 А, 10.07.1982. JP 56141829 А, 05.11.1981. РЖ “Металлургия”, №6, 1989, реф. №6Г408. |
| Имя заявителя: | Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) | | Изобретатели: | Девятых Г.Г. (RU)
Гаврищук Е.М. (RU)
Мазавин С.М. (RU) | | Патентообладатели: | Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к ИК-оптике и касается разработки способа получения массивных (толщиной более 20 мм) образцов селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает подачу паров селеноводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 650-750°С подложкам и осаждением на них селенида цинка при общем давлении в системе 0,5-1,3 кПа, эквимолярных расходах цинка и селеноводорода 0,4-0
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента