На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2031985

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5004348		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к силовой МК-оптике для получения пассивных элементов CO₂-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне. Поликристаллический селенид цинка получают осаждением из газовой фазы при раздельной подаче потоков смеси паров цинка с аргоном и смеси селеноводорода с аргоном, каждый из которых имеет вокруг себя защитный поток инертного газа. Потоки селеноводорода и цинка делят на n и 2 n частей, устанавливают соотношение указанных потоков смесей равным 1,5 - 1,8, а суммарный поток газовой смеси 690-750 см³/мин·дм². . Осаждение ведут на стенках реактора квадратного сечения, имеющего входной фланец, по периметру квадрата со стороной 2 l/3 2n отверстий для подачи смеси паров цинка с аргоном и по периметру квадрата со стороной l/3 - n отверстий для подачи смеси селеноводорода с аргоном, где l - длина стороны квадрата фланца. Центры симметрии квадратов, по периметру которых расположены отверстия, совмещены с центром симметрии фланца. Вокруг каждого из отверстий по концентрическим окружностям расположены отверстия для подачи защитного газа. Изобретение обеспечивает увеличение полезного выхода селенида цинка. 2 с.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.

Вернуться к списку