|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2031986 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B029/48 | | Аналоги изобретения: | 1. Nanba H. at al. Developments of Ln Se optics for high-power CO2-lasers. - Proc.Mater. Process symp. JCALEO'84, 1984, V.44. P.284-290. |
| Имя заявителя: | Малое предприятие фирма "Юнона-Лазер" | | Изобретатели: | Даданов А.Ю.
Перепелица Н.М.
Сухобоченко В.Г. | | Патентообладатели: | Даданов Александр Юрьевич
Перепелица Николай Михайлович
Сухобоченко Владислав Григорьев |
Реферат | |
Изобретение относится к области силовой ИК-оптики и касается способа получения поликристаллического селенида цинка, используемого в качестве пассивных элементов CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне. Способ заключается в химическом осаждении селенида цинка из газовой фазы в реакторе, содержащем подложки. Способ включает нагрев реактора и подачу на подложки в смеси с аргоном потоков паров цинка и селеноводорода в молярном соотношении 0,8 - 1,3. С целью снижения коэффициента поглощения и уменьшения концентрации объемных дефектов подложки нагревают до 670 - 70°С при общем давлении в реакторе 6 - 10 Торр и расходе селеноводорода на единицу площади поперечного сечения реактора 35-42 мкмоль/мин·см2. Коэффициент объемного поглощения полученного селенида цинка на длине волны 10,6 мкм не превышает 1·10-3см-1 , концентрация мелких (до 50 мкм в диаметре) объемных дефектов составляет (0,7-1,2)·103см-3, крупных (свыше 50 мкм в диаметре) - ниже 1 см-3. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента