|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ |  |
Номер публикации патента: 2055948 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B029/48 | | Аналоги изобретения: | Jones A.C. al. - The growlt of CdS and CdSe allous by MOCVD using a new dimethycadmium. addust. - J. Cryst. Growth - 1989. v. 97. р.537-541. 1989, 97, р.537-541. Друзь Б.Л. и др. Выращивание эпитаксиальных пленок сульфидов кадмия и цинка из хелатных соединений M(S2CNET2) (M=Cd,Zn). - Металлоган. химия - 1988, т.1, N 3, с.645-649. Друзь Б.Л. и др. Особенности роста пленок сульфида кадмия из хелатных МОС в газотранспортной системе. - Оптоэлектроника и п/п техника, 1988, N 13, с.48-50. |
| Имя заявителя: | Институт неорганической химии СО РАН | | Изобретатели: | Файнер Н.И.
Румянцев Ю.М.
Косинова М.Л.
Ларионов С.В.
Земскова С.М. | | Патентообладатели: | Институт неорганической химии СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к химической технологии полупроводниковых материалов, в частности к получению пленок сульфида кадмия, которые могут быть использованы для изготовления приборов оптоэлектроники. Изобретение позволяет повысить воспроизводимость параметров процесса получения пленок сульфида кадмия, сократить расход исходного летучего комплексного соединения, обеспечить безопасные условия проведения процесса путем термического разложения на нагретой подложке пара
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента