На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА

Номер публикации патента: 2133307

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  98108931		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР. Сущность изобретения: ростовая камера, установленная на штанге внутри кристаллизатора с раствором соли, выполнена так, что внутренние размеры ее продольных стенок, параллельных плоскости качания погружного насоса с соплом, определяются требуемым размером апертуры будущего кристалла, а ширина поперечных стенок определяется требуемой толщиной кристалла. При этом верхние кромки продольных стенок камеры и нижние кромки продольных стенок сопла выполнены в форме дуг окружностей соответственно с радиусами R₁ и R₂, связанными соотношением 0,1 мм ≅ R₁ - R₂ ≅ 3 мм. Каждая пара окружностей с радиусами R₁ и R₂ имеет свой центр, расположенный на оси качания насоса, а поперечный размер сопла выбран равным ширине поперечных стенок камеры. Разработанное устройство обеспечивает выращивание профилированных высококачественных монокристаллов большой апертуры и малой толщины с любой требуемой ориентацией кристаллографических осей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Вернуться к списку