|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО |  |
Номер публикации патента: 2143015 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 | | Аналоги изобретения: | RU 2108418 C1, 10.04.98. RU 2108417 C1, 10.04.98. RU 96118840 A1, 10.12.98. SU 1506951 A1, 07.12.92. WO 91/16477 A1, 31.10.91. Миль Б.В. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca<SB>3</SB>Ga<SB>2</SB>Ge<SB>4</SB>O<SB>12</SB>. O.A.Busanov et al. A new approach to the qrowth of Langasite crrystals, 1996, IEEE, p.131 - 136. |
| Имя заявителя: | Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья | | Изобретатели: | Дороговин Б.А.
Степанов С.Ю.
Цеглеев А.А.
Лаптева Г.А.
Дубовский А.Б.
Горохов В.П.
Царева Н.Б.
Курочкин В.И.
Миронова В.В.
Филиппов И.М. | | Патентообладатели: | Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ориентированный в направлении 54o у оси Y. Выращивание ведут в защитной атмосфере с частотой вращения кристаллодержателя 1-7 об/мин; осевой градиент - 1-15oС/см. Послеростовой отжиг кристалла ведут со скоростью охлаждения 15°С/ч в течение 40 ч и со скоростью 25°С/ч в течение 24 ч. Способ позволяет получать качественные кристаллы, оптимально пригодные для последующего изготовления кристаллических элементов фильтров на поверхностных акустических волнах. Распиловка выращенных буль лангасита ведется перпендикулярно оси роста, что позволяет снизить себестоимость кристаллических дисков. 1 табл., 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента