|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА N - ТИПА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА |  |
Номер публикации патента: 2170291 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/48 C30B029/46 | | Аналоги изобретения: | АТРОЩЕНКО Л.В. и др. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе. - Киев: Наукова думка, 1988, с.184-195. RU 2056465 C1, 20.03.1996. RU 2051211 C1, 27.12.1995. RU 2031983 С1, 27.03.1995. SU 826769 Al, 30.12.1992. WO 95/34698 Al, 21.12.1995. EP 0744476 A3, 27.11.1996. |
| Имя заявителя: | Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) | | Изобретатели: | Рыжиков Владимир Диомидович (UA)
Старжинский Николай Григорьевич (UA)
Гальчинецкий Леонид Павлович (UA)
Силин Виталий Иванович (UA) | | Патентообладатели: | Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами. Способ заключается в выращивании кристалла из расплава под давлением инертного газа и термообработке в насыщенных парах цинка, при этом в качестве сырья для выращивания кристалла используют частицы размером 0,1-2,0 мм, механоактивированные путем дробления предварительно выращенных кристаллов селенида цинка. Образцы селенида цинка, полученные по предлагаемому способу, имеют удельное сопротивление величиной 5•10-2 Ом•см. Способ является технологичным и не имеет ограничений по технике безопасности и размерам образцов. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента