|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, АКТИВИРОВАННОГО ТЕЛЛУРОМ |  |
Номер публикации патента: 2170292 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/48 C30B029/46 | | Аналоги изобретения: | UA 94030656 A1, 29.12.1994. RU 2056465 С1, 20.03.1996. RU 2051211 C1, 27.12.1995. RU 2031983 C1, 27.03.1995. SU 826769 A1, 30.12.1992. WO 95/34698 A1, 21.12.1995. DE 19502029 A1, 27.07.1995. EP 0744476 A3, 27.11.1996. |
| Имя заявителя: | Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) | | Изобретатели: | Рыжиков Владимир Диомидович (UA)
Старжинский Николай Григорьевич (UA)
Гальчинецкий Леонид Павлович (UA)
Силин Виталий Иванович (UA) | | Патентообладатели: | Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) | | Номер конвенционной заявки: | 99084677 | | Страна приоритета: | UA |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений. Способ заключается в предварительной подготовке сырья, выращивании кристалла из расплава под давлением инертного газа и термообработку в насыщенных парах цинка, при этом в качестве сырья используют частицы размером 0,1-2 мм, механоактивированные путем дробления в кислородсодержащей среде предварительно выращенного кристалла селенида цинка, активированного теллуром с концентрацией его в кристалле 0,5-1,0 мас.%. Технический результат - кристаллы, выращенные с промежуточной стадией дробления по предлагаемому способу, имеют значения световыхода от 0,7 до 0,9 отн. ед. , уровень послесвечения составляет 0,04-0,05% через 2 мс, а время высвечивания 2,5-3 мкс; по способу-прототипу световыход составляет 0,6-1,0 отн. ед., уровень послесвечения - 0,05% через 2 мс, а время высвечивания 100 мкс. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента