|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА |  |
Номер публикации патента: 2316621 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/34 C30B029/20 | | Аналоги изобретения: | RU 2232832 C1, 20.06.2004. SU 904347 A1, 30.04.1993. US 4416723 A, 22.11.1983. |
| Имя заявителя: | Ф и Джи СЭПФАЙЕ Текнолоджи Корп. (US) | | Изобретатели: | Блецкан Николай Иванович (RU) | | Патентообладатели: | Ф и Джи СЭПФАЙЕ Текнолоджи Корп. (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов из расплавов методом направленной кристаллизации и может быть использовано для получения монокристаллов сапфира, соответствующих требованиям оптоэлектроники. Устройство для выращивания профилированных монокристаллов сапфира содержит вакуумную камеру с тиглем и формообразователем, вольфрамовый нагреватель, экраны, шток с затравкодержателем, снабженный механизмом подъема кристалла, установленным вне камеры, систему подпи
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента