Блецкан Николай Иванович (RU), Агафонов Виктор Дмитриевич (RU), Гуцул Иван Михайлович (RU), Дерябин Александр Николаевич (RU), Кравцов Олег Анатольевич (RU), Куликов Владимир Иванович (RU)
Изобретатели:
Блецкан Николай Иванович (RU) Агафонов Виктор Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Блецкан Николай Иванович (RU) Агафонов Виктор Дмитриевич (RU) Гуцул Иван Михайлович (RU) Дерябин Александр Николаевич (RU) Кравцов Олег Анатольевич (RU) Куликов Владимир Иванович (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных прямоугольных кристаллов сапфира с заданной кристаллографической ориентацией. Устройство содержит вакуумную камеру 1 с установленным в ней тиглем 2 с прямоугольным формообразователем 3, размещенным во внутреннем пространстве нагревателя 4, собранного из ламелей, расположенных по образующей нагревателя 4, повторяющей форму тигля 2. Свободные концы ламелей закреплены на токовводах 5. Тигель 2 и образующая нагревателя 4, по которой расположены ламели, имеют прямоугольную форму, высота ламелей превышает высоту тигля на 20-25%, количество ламелей, расположенных в средней части каждой стороны образующей и составляющей 1/3 ее ширины, в 2-2,2 раза меньше количества ламелей, расположенных по краям стороны, а площадь поперечного сечения формообразователя на 35-45% меньше, чем площадь поперечного сечения тигля. Ламели могут быть выполнены сплошными или составными, состоящими из двух одинаковых секций, расположенных одна над другой. Прямоугольная форма тигля и образующей нагревателя, по которой расположены ламели, выполнена со скруглениями. Устройство позволяет снизить длительность процесса и потери исходного сырья при выращивании высококачественных крупноразмерных кристаллов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента