JP 2004158731 A, 03.06.2004. RU 2170291 C1, 10.07.2001. JP 2001053080 A, 23.02.2001. NORRIS C.B. Effects of Zn-vapor heat treatments on the edge emission and deep-center luminescence of ZnSe, "Journal of Electronic Materials", 1980, vol.9, no.6, p.p.913-931.
Настоящее изобретение относится к термической обработке монокристаллической подложки ZnTe с оптической характеристикой, подходящей для применения в элементе модуляции света с толщиной 1 мм или более. Способ включает первую стадию увеличения температуры монокристаллической подложки ZnTe до первой температуры термической обработки Т1 и поддержание температуры подложки в течение заданного времени и вторую стадию постепенного снижения температуры подложки от первой температуры термической обработки Т1 до второй температуры термической обработки Т2, более низкой, чем Т1 с заданной скоростью, в котором Т1 устанавливают в диапазоне 700°СT11250°С, Т2 - в диапазоне Т2Т1-50, и первую и вторую стадии выполняют в атмосфере Zn, при давлении, по меньшей мере, 1 кПа или более, не менее чем 20 циклов или не менее 108 часов. Изобретение позволяет эффективно устранить часть отложений Те без заметного ухудшения производительности и улучшения светопропускания монокристаллической подложки ZnTe. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента