VLASOV Y.A. et al, On-chip natural assembly of silicon photonic bandgap crystals, "Nature", 2001, 414, p.p.289-293. WO 2004063432 A1, 29.07.2004. JP 2000233999 A, 29.08.2000. US 2002062782 A1, 30.05.2002. PALLANIDINO L. et al, Synthesis, characterization and modeling of silicon based opals, "Journal of Non-Crystalline Solids", 2006, vol.352, No 9-20, p.p.1425-1429, abstract.
Имя заявителя:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (МИНПРОМТОРГ РОССИИ) (RU)
Изобретатели:
Курдюков Дмитрий Александрович (RU) Голубев Валерий Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (МИНПРОМТОРГ РОССИИ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации. Способ включает осаждение пленки опала толщиной 5.0÷40.0 мкм из суспензии сферических частиц аморфного диоксида кремния в этиловом спирте со средним диаметром 880 нм, дисперсией диаметров частиц менее 1% и концентрацией 0.5÷2% об. на диэлектрическую подложку, сушку, осаждение в вакууме слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала путем термического разложения смеси моносилана с аргоном с концентрацией 5% об. при давлении газовой смеси 50÷70 кПа, объемном расходе газовой смеси 0.02±0.01 см3/мин, температуре 520÷540°C, продолжительности 5÷7 ч, травление пленки в водном растворе плавиковой кислоты для удаления сферических частиц аморфного диоксида кремния - инвертирование и повторные сушку и осаждение слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала при тех же условиях. Способ решает задачу создания пленочного инвертированного композита опал-кремний с увеличенной шириной полной фотонной запрещенной зоны в спектральной области 1.5 мкм.
Поиск патентов
Получить полное описание патента