Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


СЛОИСТЫЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 94039535

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94039535 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/46    

Имя заявителя: Уилкоксон Бентон Х. (US) 
Изобретатели: Трефилов В.И.[UA]
Товстюк К.Д.[UA]
Ковалюк З.Д.[UA]
Григорчак И.И.[UA]
Козмик И.Д.[UA]
Бахматюк Б.П.[UA] 
Номер конвенционной заявки: 07/784525 
Страна приоритета: US 
Патентный поверенный: Зенин И.А. 

Реферат


Изобретение относится к свободным от дефектов монокристаллическим материалам, способным включать высокие уровни примесей, и к способам их получения. Слоистый монокристаллический материал имеет достаточно низкую плотность дефектов и соответствующее распределение примесей, позволяющие интеркалирование минимум 3 молей лития в каналы Ван-дер-Ваальса на один моль кристаллического материала без значительного искажения кристаллической решетки, и характеризуется тем, что изменение свободной энергии Гиббса не зависит от концентрации включения лития. Этот материал получают путем последовательного осуществления следующих действий: ампулу заполняют стехиометрическими количествами элемента халькогенида и висмута, создают в ней атмосферу, препятствующую окислению, и герметизируют. Затем ампулу нагревают до температуры на 5-10° выше температуры плавления халькогенида висмута и охлаждают до комнатной температуры. Полученный поликристаллический халькогенид висмута контактирует с затравочным кристаллом со специфической структурой кристаллической решетки. Полученный в результате контактирования в высшей степени бездефектный монокристалл халькогенида висмута охлаждают до комнатной температуры. В полученный кристаллический материал можно ввести примеси для получения высокоинтеркалированного кристаллического материала. Полученный кристаллический материал используют в качестве активного элемента батареи, термоэлектрического устройства и конденсатора.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"