|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ПУТЕМ ОХЛАЖДЕНИЯ ЧЕРЕЗ РАСПЛАВ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПЕРЕОХЛАЖДЕНИЯ РАСПЛАВА |  |
Номер публикации патента: 2203987 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B030/04 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | BOCHKAREV E.P. et. al. Effect of heat and mass transfer on microstructure of silicon single crystals grown under applied magnetic fields. HTD - Vol.162, Heat Transfer in Metals and Containerless Processing and Manufacturing. ASME 1991, p.83-87. RU 2095494 C1, 10.11.1997. US 3798007 A, 19.03.1974. DE 3709731 A, 05.11.1987. JP 01-282184 A, 14.11.1989. ПАНКИН Г.Н. и др. Повышение устойчивости метастабильного состояния расплава во внешнем магнитном поле. 6 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Цахнадзор сент. 1985. Тез. докл. т.1. - Ереван, 1985, с.251 и 252. ЭЛЕКТРОНИКА, 1988, реф. №3Г315. KIMURA TADASHI et. al. High speed pulling of Gi As single crystals using magnetic fields applied LEC technique. "J. Cryst. Growth", 1987, 84, №3, 394-398. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" | | Изобретатели: | Прохоров А.М.
Петров Г.Н.
Борисов В.Т.
Лященко Б.Г. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "ЭЛЛИНА-НТ" |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в технологии получения монокристаллов полупроводников, в частности кремния. Сущность изобретения: для создания переохлаждения в пограничном слое между расплавом и гранью растущего кристалла используют электромагнитные поля, приводящие в движение расплав. В результате теплоотвод осуществляется в основном через расплав.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента