СЫСОЕВ Ю.М., КУЗНЕЦОВ Г.И. Проектирование и строительство золоотвалов. - М.: Энергоатомиздат, 1990, с.133-с.137, рис.3.5, 3.6. SU 1368374 А1, 23.01.1988. SU 1167254 А, 15.07.1985. SU 1693178 А1, 23.11.1991. RU 2374387 С1, 27.11.2009. RU 2029813 С1, 27.02.1995. DE 10326070 А1, 27.01.2005.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирский федеральный университет (СФУ) (RU)
Изобретатели:
Кузнецов Георгий Иванович (RU) Балацкая Наталья Владимировна (RU) Симакова Марина Александровна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирский федеральный университет (СФУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности к золоотвалам, и может быть использовано при складировании отходов промышленных предприятий преимущественно в условиях вечной мерзлоты. Предложенный способ включает отсыпку дополнительной дамбы 2 на подготовленное известными способами естественное основание 1. Далее в дополнительной дамбе устанавливают мерзлотную завесу 3, образованную системой термосифонов 4. При этом термосифоны 4 заглублены в водонепроницаемый слой льдонасыщенных грунтов 5 основания 1. Дополнительную дамбу 2 промораживают в холодный период года. Затем отсыпают ограждающую дамбу 6, примыкающую к дополнительной дамбе 2. В ограждающей дамбе 6 устанавливают мерзлотную противофильтрационную завесу 7 в виде системы термосифонов 8. Далее по гребню ограждающей дамбы 6 прокладывают пульпопроводы 9 с пульповыпусками 10. Дополнительная дамба 2 разделяет емкость золоотвала на две емкости с образующимися под ними во время эксплуатации золоотвала двумя локальными чашами 11 оттаивания меньшей глубины. В процессе намыва и осветления пульпы на дне емкости формируется слой золошлаковых отходов 12. При этом одновременно под ним и формируются локальные чаши 11 оттаивания. Данный способ позволяет повысить экологическую безопасность и надежность золоотвала. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента