|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| Способ образования траншеи и устройство для его осуществления |  |
Номер публикации патента: 2000389 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | E02D017/00 E02F005/20 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР 1 514062.кл. Е 02 D 17/00, 1973. 4ijv Авторское свидетельство СССР № 1157,180, кл. Е 02 F 5/20, 1984. |
| Имя заявителя: | Бобылев Л.М., Бобылев А.Л. | | Изобретатели: | Бобылев Леонид Матвеевич
Бобылев Андрей Леонидович | | Патентообладатели: | Бобылев Л.М.
Бобылев А.Л. |
Реферат | |
Использование: в строительстве при устройствах стены в грунте. Сущность изобретения: способ состоит в том, что по оси будущей траншеи предварительно образуют радиальным уплотнением грунта лидерные скважины диаметром, не превышающим проектной ширины траншеи , и глубиной, превышающей проектную глубину траншеи.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента