RU 2205935 С1, 10.06.2003. RU 2214496 С1, 20.10.2003. RU 2220271 С2, 27.12.2003. RU 2295030 С1, 10.03.2007. RU 2295632 С1, 20.03.2007. RU 2006135573 А, 27.04.2008. US 2005/0252689 А1, 17.11.2005. КАЛИНИН А.Г. и др. Бурение наклонных и горизонтальных скважин. - М.: Недра, 1997, с.148-160.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Газпромнефть-Ноябрьскнефтегаз" (RU)
Изобретатели:
Климов Михаил Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Газпромнефть-Ноябрьскнефтегаз" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области разработки месторождений жидких и газообразных полезных ископаемых путем бурения эксплуатационных горизонтальных скважин в продуктивном пласте. Настоящее изобретение позволяет приобщить недренируемые зоны пласта, увеличить продуктивность скважины, добиться увеличения по площади дренирования залежи, сократить сроки строительства скважины, минимизировать затраты и увеличить КИН по залежи. Указанный технический результат достигается тем, что при выработке запасов по двум стволам не происходит резких прорывов воды из водоносных пластов при значительной депрессии на продуктивный пласт. Это достигается тем, что проводка верхней условно-горизонтальной секции ведется по верхней пачке пласта с открытым забоем. Через глинистую перемычку и систему плотных пород в нижней части коллектора того же пласта прокладывается основной условно-горизонтальный ствол, в который спускается хвостовик. Стволы могут быть разведены между собой по азимуту в 40-45° с целью большего охвата пласта. Таким образом, заявленное техническое решение позволяет использовать данную технологию для месторождений жидких углеводородов с целью увеличения продуктивности горизонтальных скважин в коллекторах большой мощности (до 35 м) или в пластах, разделенных перемычкой (экраном) плотных (глинистых) горных пород, приобщения слабодренируемых зон пласта, увеличения охвата по площади разработки залежи, сокращения затрат на строительство, сокращения сроков строительства многозабойных скважин, увеличения КИН по залежи. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента