JP 58202383 A, 25.11.1983. RU 2040076 C1, 20.07.1995. JP 2009062892 A, 26.03.2009. JP 2009062891 A, 26.03.2009. JP 2008297927 A, 11.12.2008. EP 0134942 A1, 28.06.1984.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО НИИПМ) (RU)
Изобретатели:
Махаев Владимир Гаврилович (RU) Тупикин Вячеслав Федорович (RU) Богатиков Александр Егорович (RU) Степанков Виктор Семёнович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО НИИПМ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к термоциклическим испытаниям. Теплопоглощающая панель выполнена в виде плоской полой прямоугольной криопанели. Поглощающая поверхность криопанели снабжена микровыступами и продольными плоскими параллельными ребрами, размещенными на ней под углом 45° и с шагом, равным длине их горизонтальной проекции. Обеспечивается повышение «черноты» поглощающей поверхности и стойкости к разрушению поверхности криопанели, обращенной к тепловому излучению. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.