RU 2178602 С2, 20.01.2002. RU 2231808 C1, 27.06.2004. EP 0777277 A1, 04.06.1997. US 6043495 A, 28.03.2000.
Имя заявителя:
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
Изобретатели:
Васенков Александр Анатольевич (RU) Ильичев Эдуард Анатольевич (RU) Кочержинский Игорь Константинович (RU) Полторацкий Эдуард Алексеевич (RU) Рычков Геннадий Сергеевич (RU) Гнеденко Валерий Герасимович (RU) Федоренко Станислав Николаевич (RU)
Патентообладатели:
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к твердотельным детекторам нейтронов. В твердотельный интегральный однокристальный детектор нейтронов, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне и расположенные последовательно друг на друге на ее лицевой стороне следующие слои: изотипный подложке полупроводниковый слой, полупроводниковый высокоомный слой, полупроводниковый слой противоположного подложке типа проводимости и расположенный на последнем контактный слой, причем два последних слоя выполнены в виде гальванически не связанных областей, дополнительно вводят микроструктурированный слой из алмаза С*(В), легированный бором до вырождения, расположенный на упомянутом выше контактном слое, и второй контактный слой, расположенный на лицевой стороне упомянутого алмазного микроструктурированного слоя. Однокристальная интегральная конструкция позволяет провести в алмазной пленке, легированной бором до вырождения, преобразование потока нейтронов в поток -частиц и преобразование последних в поток вторичных электронов, а затем - уже в высокоомном приемно-преобразовательном слое Si p-i-n детекторной структуры - в неравновесные электронно-дырочные пары с последующим их считыванием в виде тока во внешнюю цепь. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента