|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДЕТЕКТОРА |  |
Номер публикации патента: 1373084 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01B015/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Ильясов А.З., Мазитов Б.С. Метод измерения толщины чувствительного слоя полупроводниковых детекторов. ПТЭ, N 2, 1974. 2. Горнов М.Г., Гуров Ю.Б. и др. Определение толщины структурных слоев полупроводниковых детекторов с помощью заряженных частиц. ПТЭ, N 6, 1983, с.42-45. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Игнатьев Г.Н.
Ильина С.В.
Насыров Ф.
Шишенин Е |
Реферат | |
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для регистрации ионизирующих излучений при определении параметров чувствительной области кремниевых полупроводниковых детекторов. Целью изобретения является повышение точности измерения путем использования заряженных частиц, образующихся в самой чувствительной области детектора. Образованный в детекторе 1 заряд от прохождения нейтронного из учения после усиления в усилителях 2 и 3 подается на амплитудный анализатор 5, в котором анализируется суммарное число отсчетов в пике αo реакции 28Si(n,28Si(n, αo)25Mg,)25Mg, по числу которых оцениваются параметры чувствительной области детектора 1.3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента