|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПРОЦЕССЕ РОСТА ПЛЕНКИ НА ПОДЛОЖКЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95112173 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95112173 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью "Фрактал" | | Изобретатели: | Михайлов И.Ф.
Пинегин В.И.
Бабенко И.Н.
Слепцов В.В.
Баранов |
Реферат | |
1. Способ контроля параметров пленочного покрытия в процессе роста (или травления) пленки на подложке, включающий облучение образца потоком рентгеновского излучения с длиной волны λ под углом скольжения &thetas;o и регистрацию отраженного сигнала, по числу осцилляций которого определяют толщину покрытия, а по их контрастности - микрошероховатость, отличающийся тем, что длину волны, λ, и угол скольжения, &thetas;o, зондирующего излучения выбирают в диапазоне, определяемом системой неравенств
где μ(λ) - линейный коэффициент поглощения материала пленки;
d1 - минимальная толщина анализируемого слоя материала;
d2 - максимальная толщина, до которой производят анализ;
&thetas;c - угол Брюстера;
ζ - заданная, относительная погрешность измерения интенсивности; Io - интенсивность пучка монохроматического излучения, падающего на образец. 2. Устройство для контроля параметров пленочного покрытия в процессе роста (или травления) пленки на подложке, включающее установку для нанесения пленки, источник излучения, коллимационную систему и детектор, отличающееся тем, что в качестве источника излучения использована рентгеновская трубка с характеристическими линиями анода, расположенными в структурном диапазоне длин волн (0,5-2,75 А). 2.1. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что источник, коллимационная система и детектор размещены вне рабочего объема установки для нанесения пленки, а вход падающего пучка внутрь установки и выход отраженного пучка осуществляют через окна из материала, слабо поглощающего рентгеновское излучение, например, бериллия. 2.2. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что источник вместе с входным коллиматором размещены с возможностью прецизионного вращения вокруг оси, лежащей в плоскости образца и проходящей через его центр, а также плоско-параллельного перемещения относительно этой оси.
|
Поиск патентов