Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТРАП - ДЕТЕКТОР

Номер публикации патента: 2405129

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008137072/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01J001/42    
Аналоги изобретения: FOX N.P. Improved Near-Infrared Detectors, Metrologia, 1993, 30, p.321-325. PALMER J.M. Alternative Configurations for Trap Detectors, Metrologia, 1993, 30, p.327-333. US 4498012 A, 05.02.1985. CN 2597965 Y, 07.01.2004. CN 2432569 Y, 30.05.2001. АНИСИМОВА И.Д. и др. Полупроводниковые фотоприемники: Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. - М.: Радио и связь, 1984, с.57-66. 

Имя заявителя: Татьянко Дмитрий Николаевич (UA) 
Изобретатели: Татьянко Дмитрий Николаевич (UA) 
Патентообладатели: Татьянко Дмитрий Николаевич (UA) 
Приоритетные данные: 10.09.2007 UA A200710120 

Реферат


Изобретение относится к приборостроению и измерительной технике. Трап-детектор содержит несколько фотодиодов, установленных последовательно под разными углами один к другому. Один выбранный из них фотодиод, кроме первого 1 и второго 2 по ходу прямого движения оптического луча, установлен таким образом, что его активная поверхность перпендикулярна к биссектрисе 5 угла между направлениями от выбранного фотодиода на предыдущий и первый 1 фотодиоды. Благодаря этому луч, отраженный от активной поверхности выбранного фотодиода, направляется на активную поверхность первого фотодиода 1, тем самым увеличивается количество отражений оптического луча от активных поверхностей фотодиодов. Это дает возможность увеличить часть оптической энергии, которая преобразуется в электрическую, и тем самым повысить точность измерений. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"