

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МИКРОФЛУОРИМЕТР ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ ОДИНОЧНЫХ КЛЕТОК

Номер публикации патента: 2442140

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2010125615/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G01N021/01 G01J003/46
Аналоги изобретения:	RU 2182328 C2, 10.05.2002. EP 1602960 A1, 20.02.2009. WO 2009/001390 A1, 31.12.2008. CA 2280398 A1, 26.04.2000.

Имя заявителя:	Учреждение Российской Академии наук Институт биологического приборостроения с опытным производством РАН (ИБП РАН) (RU), Учреждение Российской Академии наук Институт биофизики клетки РАН (ИБК РАН) (RU)
Изобретатели:	Хохлов Александр Анатольевич (RU) Хохлов Анатолий Матвеевич (RU) Шугайло Владислав Владимирович (RU) Колесников Станислав Сергеевич (RU)
Патентообладатели:	Учреждение Российской Академии наук Институт биологического приборостроения с опытным производством РАН (ИБП РАН) (RU) Учреждение Российской Академии наук Институт биофизики клетки РАН (ИБК РАН) (RU)

Реферат

Изобретение относится к микрофлуориметрическим исследованиям одиночных клеток. Микрофлуориметр для исследования флуоресценции одиночных клеток содержит флуоресцентный микроскоп с камерой/микрофотометром, регистратор и источник излучения для возбуждения флуоресценции. В качестве источника излучения использованы сверхяркие излучающие полупроводниковые диоды с фиксированными длинами волн излучения, соединенные между собой переключателем диодов и связанные с регистратором сигналов. Задачей данного изобретения является повышение чувствительности измерения за счет снижения уровня паразитного излучения и улучшение точности измерения. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"