|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2066856 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01L009/08 | | Аналоги изобретения: | 1. "Sensors and Act." 4/1983/ p.357-362. 2. "IEEE, El, Dev. Let.", N 10, 1987, V.EDL-8 - прототип. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Мишачев В.И.
Лиховид С.В.
Корсаков В.С.
Трутнев Н.Ф.
Самсонов Н.С.
Васенков А.А.
Мазуренко С.Н.
Акулова Г.В.
Семенихина Л.А. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование: в пьезоэлектрических, электроакустических преобразователях, для измерения шумов. Сущность изобретения: датчик содержит мембрану 1, на планарной стороне которой расположена компенсирующая пленка 2, а над ней пленка 3 пьезоэлектрического материала с двумя электродами 4, 5, первый из которых расположен на ее внешней поверхности. Мембрана 1 выполнена из кремния, компенсирующая пленка 2 - из термически окисленной двуокиси кремния, при этом на пленке расположен второй электрод 5, а между ним и пленкой 3 пьезоэлектрического материала расположена введенная изолирующая пленка 6 из двуокиси кремния, а толщина мембраны выбрана из условия 0,5 - 5,0 мкм, толщина компенсирующей пленки составляет 0,1 - 0,3 мкм, толщина пленки пьезоэлектрического материала рана 1,0 - 1,5 мкм. Кроме того, для ряда применений указанного датчика использована кремниевая мембрана, легированная бором до концентрации не менее 7·1019 cм-3. 2 c. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента