Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2080573

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 92002520 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04    
Аналоги изобретения: 1. Измерения, контроль, автоматизация. Труды ЦНИИГЭИ приборостроения.- М.: 1983, вып. 1 (45), с.30 - 42. 2. Авторское свидетельство СССР N 1553856, кл. G 01 L 9/04, 1990. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт физических измерений 
Изобретатели: Зеленцов Ю.А. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт физических измерений 

Реферат


Использование: изобретение относится к полупроводниковым преобразователям и может быть использовано для измерения давления. Цель изобретения: повышение точности измерения и улучшение технологичности конструкции. Сущность изобретения: в преобразователе давления, содержащем мембрану с жестким центром 5 и утолщенной периферийной частью 6, элемент жесткости в виде замкнутого дополнительного выступа 4, и тензорезисторами 7 (R1 - R4), мембрана, жесткий центр 5, утолщенная периферийная часть 6 мембраны и дополнительный выступ 4 выполнены прямоугольной формы, каждый тензорезистор 7 выполнен в виде последовательно соединенных, резистивных участков, которые расположены на мембране как в тангенциальном, так и радиальном направлении, при этом резистивные участки пары тензорезисторов с положительной чувствительностью расположены соответственно вдоль сторон периферийного контура 8 мембраны и дополнительного выступа 4 и перпендикулярно сторонам дополнительного выступа 4 и жесткого центра 5, а резистивные участки пары тензорезисторов с отрицательной чувствительностью расположены соответственно перпендикулярно сторонам периферийного контура 8 мембраны и дополнительного выступа 4 и вдоль сторон дополнительного выступа 4 и жесткого центра 5, причем толщина hm мембраны и толщины hb дополнительного выступа удовлетворяют соотношению hm : hb = 0,03 - 0,2. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"