|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2169912 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01L009/04 | | Аналоги изобретения: | SU 1606886 A1, 15.11.1990. JP 60-15010 B2, 17.04.1985. GB 2080541 A, 03.02.1982. DE 4111118AI, 08.10.1992. WO 88/01049 Al, 11.02.1988. WO 87/07948 Al, 30.12.1987. SU 1835913AI, 10.09.1995. WO 00/34754 Al, 15.06.2000. RU 2005295 Cl, 30.12.1993. SU 1458728 Al, 15.02.1989. US 4085620 A, 25.04.1978. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет),Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" МИЭТ | | Изобретатели: | Зимин В.Н.
Ковалев А.В.
Панков В.В.
Тимошенков С.П.
Шелепин Н.А. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" МИЭТ |
Реферат | |
Изобретение предназначено для обеспечения высокоточного измерения давлений в широком диапазоне температур и давлений. Предлагаемое изобретение заключается в том, что основание датчика выполняется из двух или более частей и имеет специфическую Т-образную форму. Верхняя часть основания полностью идентична с кремниевым чувствительным элементом по конфигурации, размерам и кристаллографической ориентации, а нижняя часть основания выполняется из кремния, стекла или керамики таким образом, что ее боковы
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента