|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МУЛЬТИПЛИКАТИВНЫЙ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2247342 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01L009/06 | | Аналоги изобретения: | ВЯТКИН А.П., КРИВОРОТОВ Н.П., ЩЕГОЛЬ С.С. Высокочувствительный быстродействующий датчик давления с туннельным диодом. ПТЭ, 1988, №1, с.186-188. RU 2169912 С1, 27.06.2001. RU 2047113 С1, 27.10.1995. SU 1553856 А1, 30.03.1990. SU 1812455 А1, 30.04.1993. US 4459855, 17.07.1984. ЕР 0127176 А2, 05.12.1984. |
| Имя заявителя: | Криворотов Николай Павлович (RU),Изаак Татьяна Ивановна (RU),Свинолупов Юрий Григорьевич (RU),Ромась Лариса Михайловна (RU),Иванов Евгений Вячеславович (RU),Бычков Валерий Владимирович (RU) | | Изобретатели: | Криворотов Н.П. (RU)
Изаак Т.И. (RU)
Свинолупов Ю.Г. (RU)
Ромась Л.М. (RU)
Иванов Е.В. (RU)
Бычков В.В. (RU) | | Патентообладатели: | Криворотов Николай Павлович (RU)
Изаак Татьяна Ивановна (RU)
Свинолупов Юрий Григорьевич (RU)
Ромась Лариса Михайловна (RU)
Иванов Евгений Вячеславович (RU)
Бычков Валерий Владимирович (RU) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к измерительной технике, в частности, к технике измерения неэлектрических величин, а именно, к полупроводниковым датчикам давления. Сущность: мультипликативный микроэлектронный датчик давления содержит полупроводниковый кристалл с упругим элементом в виде выступа на его поверхности, по меньшей мере один чувствительный элемент, сформированный в выступе, концентратор, площадь которого больше площади выступа, соединенный с поверхностью выступа и предназначенный д
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента