RU 2010201 C1, 30.03.1994. RU 2126533 C1, 20.02.1999. RU 2319124 C2, 10.03.2008. SU 1779958 A1, 07.12.1992. US 4838088 A, 13.06.1989.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Изобретатели:
Баринов Илья Николаевич (RU) Бакатова Ирина Викторовна (RU) Волков Вадим Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям абсолютных давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей абсолютного давления. Техническим результатом изобретения является повышение надежности, повышение стабильности параметров и повышение чувствительности преобразователя. Емкостной преобразователь давления содержит подложку с размещенными на ней контактной площадкой и обкладками конденсатора, состоящими из электрода и изолирующего слоя, а также мембранную сборку и вакуумную камеру; изолирующий слой расположен под электродом, а мембранная сборка состоит из двух соединенных кремниевых мембран, с нанесенными на них обкладками конденсатора и стеклянными шайбами; мембраны соединены друг с другу и выровнены, а стеклянные шайбы выполнены с отверстиями и соединены с мембранами со стороны, противоположной обкладкам конденсатора; вакуумная камера образована герметичным соединением мембранной сборки с металлическим корпусом; электроды выведены наружу металлического корпуса с помощью контактных площадок, микропроводов и гермопереходников; микропровода с одной стороны приварены к контактным площадкам, а с другой стороны приварены к гермопереходникам, герметично соединенным с металлической шайбой; металлическая шайба приварена к металлическому корпусу, а объем вакуумной камеры в несколько раз превышает объем мембранной сборки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента