SU 1779958 A1, 07.12.1992. RU 2141103 C1, 10.11.1999. RU 2161784 C1, 10.01.2001. RU 2152012 C1, 27.06.2000. DE 19640960 A, 09.04.1998.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU)
Изобретатели:
Стефанович Владимир Алексеевич (RU) Лебедев Георгий Борисович (RU) Нелина Светлана Николаевна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к датчикам давления, включающим полупроводниковый чувствительный элемент на основе структуры «кремний на сапфире», выполненный по планарной микроэлектронной технологии. Техническим результатом изобретения является увеличение надежности конструкции датчика давления при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений и снижение трудоемкости при изготовлении датчика давления. Датчик давления содержит корпус, герметично закрепленную между корпусом и крышкой эластичную подвеску, выполненную в виде гофрированной мембраны, на поверхности которой сформированы металлизированные токоведущие дорожки, контактные площадки и выходные контакты, крышку, герметично соединенную с корпусом, полупроводниковый упругий чувствительный элемент с тензорезисторами и контактными площадками. Полупроводниковый упругий чувствительный элемент выполнен на основе структуры «кремний на сапфире». Упругий чувствительный элемент жестко соединен высокотемпературным стеклоприпоем с керамической чашкой с образованием полости между ними. Полупроводниковый чувствительный элемент жестко закреплен по контуру на мембране, его контактные площадки соединены пайкой с контактными площадками мембраны. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента