Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Изобретатели:
Белозубов Евгений Михайлович (RU) Васильев Валерий Анатольевич (RU) Запевалин Александр Иванович (RU) Чернов Павел Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Реферат
Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами. Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из упругого элемента - мембраны с жестким центром, заделанной по контуру в опорном основании, образованной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой сформированы контактные площадки. Также датчик содержит первые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, которые расположены по одной окружности на периферии мембраны. А также вторые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, которые расположены по другой окружности на мембране, соединенные тонкопленочными перемычками, включенные в измерительный мост. Причем радиус жесткого центра определен из соотношения: Rc=0,18Rm, где Rm - радиус мембраны. При этом тензоэлементы вторых радиальных тензорезисторов расположены по окружности, радиус которой определен из соотношения: , где: r2(w) - относительный радиус расположения тензоэлементов, воспринимающих максимальные положительные радиальные деформации; w - толщина мембраны; m и k - полиномиальные коэффициенты; нижний индекс i - индекс, определяющий полиномиальный коэффициент в соответствии с таблицей 1; верхний индекс i - степень, в которую возводится переменная w.
Поиск патентов
Получить полное описание патента