SU 1686319 A1, 23.10.1991. SU 1812455 A1, 30.04.1993. RU 2086940 C1, 10.08.1997. RU 2075796 C1, 20.03.1997. EP 0348658 A2, 03.01.1990.
Имя заявителя:
Васильев Валерий Анатольевич (RU), Громков Николай Валентинович (RU), Москалёв Сергей Александрович (RU)
Изобретатели:
Васильев Валерий Анатольевич (RU) Громков Николай Валентинович (RU) Москалёв Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Васильев Валерий Анатольевич (RU) Громков Николай Валентинович (RU) Москалёв Сергей Александрович (RU)
Реферат
Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности относится к измерительной технике и может быть использован для измерения давления в системах измерения, контроля и управления. Техническим результатом является повышение точности измерения путем улучшения линейности выходной характеристики за счет размещения тензорезисторов. Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности содержит полупроводниковый чувствительный элемент в виде монокристалла кремния плоскости (100) квадратной формы, имеющего основание и мембрану, на которой сформированы тензорезисторы из тензоэлементов. Центры тензорезисторов размещены на расстоянии l от перпендикулярных осей Ох и Оy, проведенных через центр мембраны и параллельных границам тонкой части мембраны с основанием полупроводникового чувствительного элемента, которое определено по соотношению: l=0,715L, где L - расстояние от осей Ох и Оy до границы тонкой части мембраны с основанием полупроводникового чувствительного элемента. Тензорезисторы также размещены по обе стороны от осей Ох и Оy на расстоянии h0,1L, причем тензорезисторы, нормальные к оси Ох, занимают такую же площадь, что и тензорезисторы, нормальные к оси Оy. 9 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента