

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2464538

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011126870/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G01L009/04
Аналоги изобретения:	SU 1675702 A1, 07.09.1991. SU 1712802 A1, 15.02.1992. SU 1744530 A1, 30.06.1992. RU 2345341 C1, 27.01.2009. GB 1431039 A, 07.04.1976. DE 19754613 A1, 18.06.1998. US 5349867 A, 27.09.1994.

Имя заявителя:	Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Изобретатели:	Полунин Владимир Святославович (RU) Шараева Вера Петровна (RU) Вологина Валентина Николаевна (RU) Купоросова Наталья Ивановна (RU) Моисеева Светлана Борисовна (RU)
Патентообладатели:	Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)

Реферат

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: датчик давления содержит корпус, мембрану (1) радиуса r₁ , выполненную с жестким центром (2) радиуса r₂ и утолщенным периферийным основанием (3). На мембране сформированы тензорезисторы (R1-R8), выполненные в виде соединенных низкоомными перемычками в окружном и радиальном направлении идентичных резистивных тензоэлементов. Тензорезисторы (R1-R8) соединены в две мостовые схемы. Одна мостовая схема расположена по периметру утолщенного периферийного основания (3), а вторая - по периметру жесткого центра (2). Тензорезисторы (R1, R3) первой мостовой схемы, соединенные в радиальном направлении, расположены напротив соединенных в радиальном направлении тензорезисторов (R5, R7) второй мостовой схемы. Тензорезисторы первой мостовой схемы (R2, R4), соединенные в окружном направлении, расположены напротив тензорезисторв (R6, R8), соединенных в окружном направлении второй мостовой схемы. Мостовые схемы диагоналями питания подключены к общим контактным площадкам (4). Выходные диагонали соединены встречно. Размеры сторон резистивных тензоэлементов радиальных и окружных тензорезисторов одинаковы. Тензоэлементы первой мостовой схемы своими наиболее удаленными от центра мембраны (1) вершинами касаются границы раздела мембраны (1) и периферийного основания (3). Резистивные тензоэлементы второй мостовой схемы своими наиболее близкими от центра мембраны (1) вершинами касаются границы раздела мембраны (1) и жесткого центра (2). Тензорезисторы (R1-R8) выполнены из одного и того же материала в едином технологическом процессе. Технический результат: повышение точности измерения во всем рабочем диапазоне температур, в том числе при воздействии термоудара. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"