RU 2018133 C1, 15.08.1994. RU 2047267 C1, 27.10.1995. RU 61874 U1, 10.03.2007. US 2005279175 A1, 22.12.2005. US 2009151461 A1, 18.06.2009.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Изобретатели:
Баринов Николай Иванович (RU) Баринов Илья Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Техническим результатом является повышение чувствительности преобразователя. Резонансный преобразователь давления содержит кремниевую мембрану для измерения давления. На мембране расположены кремниевый резонатор, два постоянных магнита. Резонатор выполнен в виде рамки, внутри которой на перемычках подвешена плоско-параллельная пластина с напыленной на ее поверхности по периметру проводящей дорожкой, которая проходит через одну из перемычек. На другой перемычке расположен тензорезистор, обеспечивающий восприятие деформации перемычки при колебаниях пластины. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента