|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ ГЕРМЕТИЗИРУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ И ПОДЛОЖКА К НЕЙ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ЭТОГО СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2152607 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N019/04 | | Аналоги изобретения: | SU 1658039 A1, 23.06.1991. SU 1436026 A1, 07.11.1988. SU 1179166 A, 15.09.1985. ТУШИНСКИЙ Л.И., ПЛОХОВ А.В. Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий. - Новосибирск: Наука, 1986. |
| Имя заявителя: | Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики | | Изобретатели: | Баранов В.Е.
Васильев А.П.
Зацепин В.А.
Зубарев В.А.
Леви А.Г.
Щербина А.Н. | | Патентообладатели: | Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики |
Реферат | |
Изобретение используется в испытательной технике, реакторной технике, при проектировании герметичных сосудов. Технический результат изобретения - расширение эксплуатационных возможностей, обусловленных определением устойчивости соединения ГС-подложка в условиях получения поглощенной дозы по γ-излучению 1000 Мрад при одновременном воздействии β-активной воды, имеющей температуру 50-70°С. Это обеспечивается за счет того, что соединение герметизирующая система (ГС) - подложка погружают в жидкость и воздействуют на него ионизирующим γ- и β-излучением с изменением температуры, при этом на протяжении всего времени испытания осуществляют контроль за состоянием ГС, а в качестве параметра определяют набранную системой поглощенную дозу облучения на момент нарушения целостности ГС. Подложка к ГС изготовлена из металла и выполнена в виде замкнутого объема с внутренней полостью и со сварным швом, имитирующим реальные микротрещины и непровары, на которые нанесена испытуемая ГС. 2 с. и 2 з. п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента