|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОВОДЯЩЕЙ ПОВЕРХНОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2164020 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N021/88 | | Аналоги изобретения: | RU 2097747 C1, 27.11.1997. ТИЩЕНКО А.А. и др. ПЭВ в оптической микроскопии. Вестник РУДН (сер.Физика), 1993, N 1, с.119-121. ЛИБЕНСОН М.Н. и др. Оптическая микроскопия сверхвысокого разрешения. Оптический вестник, 1992, N 5-6, с.1-2. US 5125740 A, 30.06.1992. US 5141311 A, 25.08.1992. |
| Имя заявителя: | Российский университет дружбы народов | | Изобретатели: | Никитин А.К. | | Патентообладатели: | Российский университет дружбы народов |
Реферат | |
Изобретение относится к контролю качества поверхностей твердых тел оптическими методами, а именно к обнаружению дефектов и микрообъектов на плоских поверхностях проводящих и полупроводящих изделий путем регистрации эффективности возбуждения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ), и может найти применение в оптическом приборостроении, экологическом мониторинге, в физических, химических, медико-биологических и других исследованиях. Сущность изобретения заключается в том, что в способе исследования проводящей поверхности, включающем воздействие на исследуемую поверхность образца пучком сколлимированного линейно поляризованного монохроматического излучения, выбор ориентации плоскости поляризации излучения, возбуждение этим излучением на поверхности образца ПЭВ, регистрацию отраженного излучения, расчет распределения контролируемого оптического параметра слоя на поверхности по результатам измерений, плоскость поляризации падающего излучения выбирают наклоненной на угол Θ0 относительно плоскости падения, в поперечном сечении пучка отраженного излучения измеряют пространственное распределение угла Θ наклона плоскости поляризации отраженного излучения относительно плоскости падения, компенсируя для каждой контролируемой точки сечения фазовый сдвиг между р- и s-составляющими излучения, возникающий при возбуждении ПЭВ, а регулирование пределов измерений осуществляют изменением величины угла Θ0. Техническим результатом является повышение точности определения контролируемого параметра. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента