Курбатов Л.Н. и др. Интерференционный метод измерения времени жизни носителей в полупроводниках. - УФЖ, 1985, т.30, 6, с.920-924. SU 1778821 A1, 30.11.1992. SU 1737261 A1, 30.05.1992. RU 2330300 C2, 27.07.2008. RU 2006987 C1, 30.01.1994. RU 2117956 C1, 20.08.1998. JP 10229109 A, 25.08.1998. WO 2001061745 A, 23.08.2001. JP 8335618 A, 17.12.1996. US 5438276 A, 01.08.1995.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный заочный технический университет" (ФГБОУ ВПО "СЗТУ") (RU)
Изобретатели:
Федорцов Александр Борисович (RU) Иванов Алексей Сергеевич (RU) Чуркин Юрий Валентинович (RU) Манухов Василий Владимирович (RU) Аникеичев Александр Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Западный государственный заочный технический университет" (ФГБОУ ВПО "СЗТУ") (RU)
Реферат
Использование: для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Сущность: заключается в том, что осуществляют зондирование исследуемого образца излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, модуляцию концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике, измерение параметров зондирующего излучения, пропущенного через образец или отраженного им, определение времени жизни неравновесных носителей заряда по измеренным параметрам зондирующего излучения, при этом исследуемый образец выполнен в виде структуры металл - диэлектрик - полупроводник, причем концентрацию неравновесных носителей заряда модулируют подачей напряжения между металлическим и полупроводниковым слоями данной структуры. Технический результат: обеспечение возможности измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых слоях. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента