|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОСЛОЙНОГО АНАЛИЗА ТОНКИХ ПЛЕНОК |  |
Номер публикации патента: 2229116 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N023/22 | | Аналоги изобретения: | RU 2180109 С2, 27.02.2002. RU 2125257 C1, 20.01.1999. SU 1100525 А, 30.06.1984. US 5443684 А, 22.08.1995. GB 1016906 А, 12.01.1966. US 4377869 А, 22.03.1983. FR 2393300 А, 29.12.1978. ЕР 0233389 A1, 26.08.1987. |
| Имя заявителя: | Томский политехнический университет (RU) | | Изобретатели: | Суржиков А.П. (RU)
Гынгазов С.А. (RU)
Франгульян Т.С. (RU)
Чернявский А.В. (RU) | | Патентообладатели: | Томский политехнический университет (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для определения распределения химических элементов по глубине при изготовлении многослойных тонкопленочных структур и полупроводниковых приборов. Способ послойного анализа тонких пленок заключается в нанесении тонкой пленки на подложку, размещении сверху металлической диафрагмы с отверстием, травлении подложки с нанесенным на нее покрытием пучком первичных ионов, определении временного спектра вторичных ионов, соот
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента