SU 785700 A1, 07.12.1980. SU 699571 A1, 25.11.l979. SU 538280 A1, 05.12.1976. SU 890182 A1, 15.12.1981.
Имя заявителя:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (RU), Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина" (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина") (RU)
Изобретатели:
Алексеева Людмила Егоровна (RU) Гетманова Марина Евгеньевна (RU) Филиппов Георгий Анатольевич (RU) Шахпазов Евгений Христофорович (RU)
Патентообладатели:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (RU) Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина" (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области рентгенографических способов исследования тонкой структуры и может быть использовано для неразрушающего контроля внутренних напряжений с целью выявления признаков опасности развития хрупкого разрушения металлических деталей и изделий. Способ определения локальной концентрации остаточных микронапряжений в металлах и сплавах, локализующихся в микрообластях порядка 1 микрона, заключается в том, что на рентгеновском дифрактометре для исследуемого материала получают кривую распределения интенсивности интерференционной линии индексов дальних порядков - высоких углов Вульфа-Брегга либо в режиме счета по точкам, либо в режиме записи дифрактограмм. Проводят обработку дифрактограммы: проведение линии фона, определение положения точки 2mах и проведение средней линии. Затем измеряют площади отсеченных периферических участков S1 и S2 и общую площадь дифрактограммы Sобщ. Затем с помощью выражения
Поиск патентов
Получить полное описание патента