Афанасьев А.М., Имамов Р.М. Структурная диагностика «квантовых» слоев методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, Кристаллография, 2003, т. 48, 5, с.786-801. RU 2370757 C2, 20.10.2009. SU 746264 A1, 05.07.1980. SU 1795358 A1, 15.02.1993. JP 2003121391 A, 23.04.2003. JP 5001999 A, 08.01.1993.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Изобретатели:
Енишерлова-Вельяшева Кира Львовна (RU) Лютцау Александр Всеволодович (RU) Темпер Элла Моисеевна (RU) Колковский Юрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)
Реферат
Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием -метода в пошаговом режиме рентгеновской дифрактометрии, при этом для многослойных гетероструктур AlGaN/GaN с нанометровыми слоями используют рентгеновскую однокристальную дифрактометрию мощностью 5-15 Вт с немонохроматическим, квазипараллельным пучком рентгеновских лучей и позиционно-чувствительным детектором с угловой шириной окна 10-15°, причем сначала фиксируют рентгеновскую трубку в положении брэгговского отражения для кристаллографической плоскости (0002) слоя GaN, затем проводят сканирование образцов путем наклона рентгеновской трубки в угловых диапазонах, лежащих слева и справа от основного интерференционного максимума (0002) слоя GaN и включающих в себя все интерференционные максимумы структур AlxGa(1-x)N/GaN, где x от 0,1 до 0,9, а пошаговое сканирование проводят, выставляя рентгеновскую трубку последовательно в угловые положения, соответствующие максимальному отражению для каждого мелкого пика с записью дифрактограмм при одинаковой экспозиции для всех мелких пиков, а время экспозиции составляет 30-100 сек. Технический результат: обеспечение возможности разрешения интерференционных пиков, соответствующих отдельным нанометровым слоям полупроводниковых структур, а также обеспечение возможности использования маломощной аппаратуры. 3 н.п. ф-лы, 3 табл., 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента