RU 2359260 C2, 20.06.2009. RU 2333476 C1, 10.09.2008. SU 1602181 A1, 23.12.1992. WO 2008103635 A1, 28.08.2008. US 2004041562 A1, 04.03.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ) (RU)
Изобретатели:
Кашаев Рустем Султанхамитович (RU) Темников Алексей Николаевич (RU) Идиятуллин Замил Шаукатович (RU) Газизов Эдуард Гамисович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ) (RU)
Реферат
Использование: для оперативного контроля компонентов и отдельных органических соединений в их смесях. Сущность: заключается в том, что возбуждают в образце, помещенном в постоянное магнитное поле, сигналы спин-эхо ядерного магнитного резонанса (ЯМР) сериями радиочастотных импульсов, измеряют времена спин-спиновой релаксации, причем времена релаксации измеряют без облучения и при непрерывном облучении образца светом в оптическом или инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, поглощаемом определяемым компонентом или органическим соединением, при этом относительное изменение времен релаксации вычисляют по формуле T2i=(T2i*-T2i)/T2i, где T2i* и T2i - времена релаксации облученного и необлученного образца, а концентрацию Ci i-того компонента или соединения определяют по формуле Ci=k1i+k2i(T2)k3i, где k1i-k3i - постоянные коэффициенты. Технический результат: упрощение методики определения кристаллографической текстуры. 4 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента